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活塞桿設(shè)備一般指生產(chǎn)各類活塞桿產(chǎn)品所需的生產(chǎn)設(shè)備，是活塞桿產(chǎn)業(yè)鏈的關(guān)鍵支撐環(huán)節(jié)。活塞桿設(shè)備是活塞桿行業(yè)的技術(shù)yinling者。芯片設(shè)計、晶圓制造、封裝測試等都需要在設(shè)備技術(shù)允許的范圍內(nèi)進行設(shè)計制造。設(shè)備的技術(shù)進步反過來推動活塞桿產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

以活塞桿產(chǎn)業(yè)鏈中技術(shù)難度zui高、附加值zui大、工藝zui復雜的集成電路為例。集成電路領(lǐng)域使用的設(shè)備通?？梢苑譃閮深?前者工藝設(shè)備(晶圓制造)和后者工藝設(shè)備(封裝測試)。

其中，之前晶圓制造中的七個步驟是氧化/擴散、光刻、蝕刻、清洗、離子注入、薄膜生長和拋光。每個步驟中使用的活塞桿設(shè)備如下:

氧化是將硅片置于氧氣或水蒸氣等氧化劑的氣氛中進行高溫熱處理，在硅片表面發(fā)生化學反應形成氧化膜的過程。擴散是指利用高溫熱擴散原理，將雜質(zhì)元素按工藝要求摻雜到硅襯底中，使其具有特定的濃度分布，從而改變硅材料的電學特性；退火是指對注入的硅片進行加熱，以修復離子注入造成的晶格缺陷的過程。

擴散爐用于大規(guī)模集成電路、分立器件、電力電子、光電器件和光纖等行業(yè)的擴散、氧化、退火、合金化和燒結(jié)。擴散工藝的主要目的是在高溫下對活塞桿晶圓進行摻雜，即將元素磷和硼擴散到硅片中，從而改變和控制活塞桿中雜質(zhì)的類型、濃度和分布，從而建立不同的電學特性區(qū)域。

為活塞桿材料的氧化處理提供所需的氧化氣氛，實現(xiàn)活塞桿設(shè)計的預期氧化處理，是活塞桿加工過程中不可缺少的環(huán)節(jié)。

一種用于制造活塞桿器件的工藝設(shè)備，包括加熱多個活塞桿晶片以影響其電性能。熱處理是為不同的效果而設(shè)計的。晶片可以被加熱以激活摻雜劑，將膜轉(zhuǎn)變成膜或膜轉(zhuǎn)變成晶片-襯底界面，制造密集沉積的膜，改變生長的膜的狀態(tài)，修復注入的損傷，將摻雜劑從一個膜轉(zhuǎn)移到另一個膜或從膜轉(zhuǎn)移到晶片襯底。